TR teknologia + Half Cell
TR teknologiak erdi-zelula erabiliz, zelula-tartea ezabatzea du helburu moduluaren eraginkortasuna handitzeko (aurpegi bakarrekoa % 21,38ra arte).
9BB 5BBren ordez
9BB teknologiak barra-busen eta hatz-sarearen arteko distantzia murrizten du, eta horrek potentzia handitzeko onura dakar.
Bizitza osorako potentzia-errendimendu handiagoa
% 2ko lehen urteko degradazioa, % 0,55eko degradazio lineala.
Berme onena
12 urteko produktuaren bermea, 25 urteko potentzia linealaren bermea.
Karga Mekaniko Hobetua
Ziurtatua: haize-karga (2400 Pascal) eta elur-karga (5400 Pascal) jasateko.
Saihestu hondakinak, pitzadurak eta ate hautsiaren arriskua eraginkortasunez
9BB teknologiak zinta zirkularra erabiltzen du, hondakinak, pitzadurak eta ate hautsiaren arriskua eraginkortasunez saihestuz.
12 urteko produktuaren bermea
25 urteko potentzia linealaren bermea
% 0,55eko urteko degradazioa 25 urtetan zehar
| Paketeen konfigurazioa | |
| (Bi palet = Pila bat) | |
| 31 pieza/paletak, 62 pieza/pila, 620 pieza/40'HQ edukiontzia | |
| Ezaugarri mekanikoak | |
| Zelula mota | P motako monokristalinoa |
| Zelula kopurua | 156 (2 × 78) |
| Dimentsioak | 2182 × 1029 × 35 mm (85,91 × 40,51 × 1,38 hazbete) |
| Pisua | 25,0 kg (55,12 lb) |
| Aurreko beira | 3,2 mm-ko islapen aurkako estaldura Transmisio Handia, Burdin Gutxi, Beira Tenplatua |
| Markoa | Aluminiozko aleazio anodizatua |
| Lotura-kutxa | IP68 sailkapena |
| Irteerako kableak | TUV 1×4.0mm2 (+): 290 mm, (-): 145 mm edo neurrira egindako luzera |
| ESPEZIFIKAZIOAK | ||||||||||
| Modulu mota | ALM460M-7RL3 ALM460M-7RL3-V | ALM465M-7RL3 ALM465M-7RL3-V | ALM470M-7RL3 ALM470M-7RL3-V | ALM475M-7RL3 ALM475M-7RL3-V | ALM480M-7RL3 ALM480M-7RL3-V | |||||
| STC | NOCT | STC | NOCT | STC | NOCT | STC | NOCT | STC | NOCT | |
| Gehienezko potentzia (Pmax) | 460 Wp | 342Wp | 465 Wp | 346 Wp | 470Wp | 350Wp | 475Wp | 353Wp | 480Wp | 357Wp |
| Gehienezko potentzia-tentsioa (Vmp) | 43,08 V | 39,43 V | 43,18 V | 39,58 V | 43,28 V | 39,69 V | 43,38 V | 39,75 V | 43,48 V | 39,90 V |
| Gehienezko potentzia-korrontea (Inp) | 10.68A | 8.68A | 10,77A | 8.74A | 10.86A | 8.81A | 10,95A | 8.89A | 11.04A | 8,95A |
| Zirkuitu irekiko tentsioa (Voc) | 51,70 V | 48,80 V | 51,92 V | 49.01V | 52,14 V | 49,21 V | 52,24 V | 49,31 V | 52,34 V | 49,40 V |
| Zirkuitulaburreko korrontea (Isc) | 11.50A | 9.29A | 11.59A | 9.36A | 11.68A | 9.43A | 11,77A | 9.51A | 11.86A | 9.58A |
| Moduluaren eraginkortasunaren STC (%) | %20,49 | %20,71 | %20,93 | %21,16 | %21,38 | |||||
| Funtzionamendu-tenperatura (℃) | 40℃~+85℃ | |||||||||
| Sistemaren tentsio maximoa | 1000/1500VDC (IEC) | |||||||||
| Seriearen fusibleen gehienezko balorazioa | 20A | |||||||||
| Potentzia-tolerantzia | %0~+3 | |||||||||
| Pmax-en tenperatura-koefizienteak | -0,35%/℃ | |||||||||
| Tenperatura Koefizienteak VOC-en | -0,28%/℃ | |||||||||
| Isc-ren tenperatura-koefizienteak | % 0,048/℃ | |||||||||
| Funtzionamendu-zelularen tenperatura nominala (NOCT) | 45 ± 2 ℃ | |||||||||
STC: Irradiantzia 1000W/m2 AM=1.5 Zelularen tenperatura 25°C AM=1.5
NOCT: Irradiantzia 800W/m2 Giro-tenperatura 20°C AM=1.5 Haizearen abiadura 1m/s